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生肖印:SH8M12TB1 封装:SOP8

标价牌: ROHM 寒暑:11+

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客流:19312 专业包装数:

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  • 生肖印 SH8M12TB1
  • 项目 Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • 铺天盖地 -
  • 包装 Tape & Reel (TR)
  • 零件状态 Not For New Designs
  • FET 项目 N and P-Channel
  • FET 效益 Logic Level Gate
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 电流 - 此起彼伏漏极(Id)(25°C 时) 5A, 4.5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 42 mOhm @ 5A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的投入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 10V
  • 功率 - 最大值 2W
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 安装类型 Surface Mount
  • 封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 销售商器件封装 8-SOP
  • 专业包装数 2,500
  • 购买流程

  • <form id="3f610c96"></form>


        1. <form id="65b972d9"></form>